本征半導體（intrinsic semiconductor)）是完全不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的純凈半導體稱(chēng)為本征半導體。但實(shí)際半導體不能絕對的純凈，此類(lèi)半導體稱(chēng)為雜質(zhì)半導體。本征半導體一般是指其導電能力主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的、不含雜質(zhì)的半導體稱(chēng)為本征半導體或I型半導體。主要常見(jiàn)代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結構。

中文名

本征半導體

外文名

intrinsic semiconductor

特點(diǎn)

電子濃度=空穴濃度

缺點(diǎn)

載流子少，導電性差

釋義

不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷純凈半導體

簡(jiǎn)介

本征半導體（intrinsic semiconductor)完全不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的純凈半導體稱(chēng)為本征半導體。實(shí)際半導體不能絕對地純凈，本征半導體一般是指導電主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導體

本征半導體

本征導電

本征半導體

在絕對零度溫度下，半導體的價(jià)帶（valence band）是滿(mǎn)帶（見(jiàn)能帶理論）

，受到光電注入或熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì )越過(guò)禁帶（forbidden band/band gap）進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶（conduction band），價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴（hole），導帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱(chēng)為電子－空穴對。上述產(chǎn)生的電子和空穴均能自由移動(dòng)，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場(chǎng)作用下產(chǎn)生定向運動(dòng)而形成宏觀(guān)電流，分別稱(chēng)為電子導電和空穴導電。在本征半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著(zhù)溫度的升高，其濃度基本上是按指數規律增長(cháng)的。

復合

導帶中的電子會(huì )落入空穴，使電子－空穴對消失，稱(chēng)為復合（recombination）。復合時(shí)產(chǎn)生的能量以電磁輻射（發(fā)射光子photon）或晶格熱振動(dòng)（發(fā)射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產(chǎn)生和復合同時(shí)存在并達到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)本征半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會(huì )使半導體發(fā)生熱激發(fā)或光激發(fā)，從而產(chǎn)生更多的電子－空穴對，這時(shí)載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理制成的。常溫下本征半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進(jìn)行控制，因此實(shí)際應用不多。

特點(diǎn)

本征半導體特點(diǎn)：電子濃度=空穴濃度（摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以具有本征半導體特點(diǎn)。）

缺點(diǎn)

缺點(diǎn)：載流子少，導電性差，溫度穩定性差！

分類(lèi)

半導體分三種

半導體分為三種：n型，p型，和本征半導體

其他

待完善