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半導(dǎo)體量子阱
半導(dǎo)體量子阱(Semiconductor quantum wells)是指兩種半導(dǎo)體材料按三明治樣式生長(zhǎng)成的結(jié)構(gòu)。以AlAs和GaAs兩種材料生長(zhǎng)成的半導(dǎo)體量子阱為例，三明治結(jié)構(gòu)的兩邊是由AIAs層形成的勢(shì)壘，夾心的GaAs中間層，在其層厚小于電子的德布羅意波長(zhǎng)時(shí)，就形成了電子(空穴)的量子阱。
基本信息
| 中文名 | 半導(dǎo)體量子阱 |
| 外文名 | Semiconductor quantum wells |
| 制備工藝 | 蒸發(fā)、刻蝕、減薄、合金 |
| 舉例 | AlAs和GaAs |
| 應(yīng)用 | 半導(dǎo)體量子阱激光器 |
| 釋義 | 兩種半導(dǎo)體材料按三明治樣式生長(zhǎng) |
收起
簡(jiǎn)介
量子阱中的電子沿層面自由運(yùn)動(dòng)，垂直層面受限制，構(gòu)成所謂兩維電子氣，并在垂直層面方向形成分立能級(jí)。分立能級(jí)間的能隙隨阱寬增大而變小，直至過渡到自由空間的連續(xù)能級(jí)的現(xiàn)象，反映了量子阱的基本效應(yīng)—量子尺寸效應(yīng)。
制備技術(shù)
制備半導(dǎo)體量子阱激光器工藝包括蒸發(fā)、刻蝕、減薄、合金、解理、鍍膜、劃片、中測(cè)、燒結(jié)、球焊、老化、裝架、封管和質(zhì)檢等。為滿足新型激光器的性能要求，上述工藝技術(shù)都須精化提高，升級(jí)換代，伴隨著許多新的工藝技術(shù)和設(shè)備制造難題。
采用MBE技術(shù)制備的半導(dǎo)體量子阱激光器由于有源區(qū)量子阱的寬度只有10 nm左右，量子限制效應(yīng)導(dǎo)致的能態(tài)密度變化使器件的閾值電流密度大大降低，室溫連續(xù)工作模式下只有幾百A/cm ，最低甚至可以達(dá)到約40 A/cm 。這極大地提高了器件的性能，拓寬了器件的應(yīng)用領(lǐng)域，使量子阱激光器成為目前半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。目前代表性的器件包括用于泵浦YAG激光器的808 nm大功率半導(dǎo)體量子阱激光器，用于光纖通信的1.3μm，1.55 μm量子阱激光器。用于泵浦摻Er光纖放大器的980 nm量子阱激光器等。
半導(dǎo)體量子阱激光器
半導(dǎo)體量子阱激光器的模擬要比微電子器件的模擬復(fù)雜得多，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
一、器件描述
描述系統(tǒng)要首先給出橫向和縱向的大致輪廓，對(duì)于橫向，要給出每一層的參數(shù)，如長(zhǎng)度、寬度、厚度、位置、摻雜濃度、材料體系及組分，還要指出歐姆接觸、肖特基接觸、自由邊界、有源區(qū)位置及光限制位置；對(duì)于縱向，要給出端面反射情況，相移位置及大小、光柵參數(shù)、耦合系數(shù)、腔長(zhǎng)及用于傳遞矩陣分析的縱向剖分情況，縱向描述是完全有別于微電子器件的。
二、非線性耦合方程組自洽求解
量子阱激光器模擬所應(yīng)用的理論模型，包括泊松方程，電子空穴連續(xù)性方程、熱傳導(dǎo)方程、波動(dòng)方程、光子速率方程及薛定諤方程，這些方程都是非線性的，通過電勢(shì)、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)、載流子密度和光子密度耦合在一起。求解起來不但復(fù)雜，而且還耗費(fèi)時(shí)間，首先要全部線性化，然后再建立自洽迭代系統(tǒng)，是否收斂與初值關(guān)系密切，不合適的初值還會(huì)導(dǎo)致溢出錯(cuò)誤，中斷求解過程。
三、能帶工程的引入
設(shè)計(jì)高性能的半導(dǎo)體激光器，特別是低閾值高微分增益應(yīng)變量子阱激光器，引入能帶工程是必需的．能帶工程可通過薄層材料組分設(shè)計(jì)來獲得所需發(fā)射波長(zhǎng)，另外可獲取增益系數(shù)、狀態(tài)密度、線寬增強(qiáng)因子、微分增益及量子化能級(jí)等重要參數(shù)。能帶工程還可以定量分析壓應(yīng)變及張應(yīng)變對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的影響及價(jià)帶耦合效應(yīng)，精確的能帶分析還需要能帶不連續(xù)性的計(jì)算。
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